ASTM F2182详细描述了评估射频功率累积与温度变化（∆T）关系的程序
时间：2024-03-31 访问量：1079
在遵循ASTM F2182标准的前提下，我们为无源植入物上或附近的射频感应加热提供了精准且合规的测试服务。此测试方法不仅详细描述了评估射频功率累积与温度变化（∆T）关系的程序，而且能够在实际磁共振（MR）程序中准确反映植入物的升温趋势，而非简单估计。
测试的结果可以作为计算模型的输入，用以预测因患者体内植入物引起的温度变化（∆T）。结合测试结果与计算模型，我们能够为评估植入患者在MRI检查期间的安全性提供有力支持。
本测试方法专注于磁共振成像（MRI）过程中，体模中被动医疗植入物上或附近的射频（RF）感应加热测量。值得注意的是，该方法并未设定对患者安全的加热水平，而是允许用户自行设定验收标准。此外，本测试不涉及磁感应位移、图像伪影、声学噪声、组织加热等潜在安全问题。
在特定入射电场下，RF引起的温升（ΔT）取决于RF频率，而RF频率又与MR系统的静态磁场强度密切相关。虽然本测试方法主要关注1.5特斯拉（T）或3T MR系统，但通过对方法的适当修改，我们同样能够评估其他静磁场强度或磁铁设计的MR系统中植入物的温度变化（∆T）。
本测试方法适用于多种射频暴露系统，包括体积射频发射线圈，要求这些系统在指定的不确定性范围内，根据被测植入物的局部背景RF暴露进行适当表征。同时，我们接受以SI单位表示的标准值。
尺寸小于2cm的设备，在所有方向上展开后，可能无需进行射频感应加热测试，因为它们预计在1.5小时暴露下以1T/h的速度产生的温度变化（∆T）将小于2°C。然而，当多个设备的复制品（如多个锚）植入设备3cm内时，这一条件将不再适用。
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